供應(yīng)200度存儲(chǔ)器

EEPROM與FRAM

與SRAM相比，DRAM似乎是毫無用處的，但位于微控制器內(nèi)部的DRAM控制器使DRAM的性能表現(xiàn)與SRAM一樣。DRAM控制器在數(shù)據(jù)消失之前周期性地刷新所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，所以存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以根據(jù)需要保持長(zhǎng)時(shí)間。

由于比特成本低，DRAM通常用作程序存儲(chǔ)器，所以有龐大存儲(chǔ)要求的應(yīng)用可以從DRAM獲益。它的缺點(diǎn)是速度慢，150度存儲(chǔ)器，但計(jì)算機(jī)系統(tǒng)使用高速SRAM作為高速緩沖存儲(chǔ)器來彌補(bǔ)DRAM的速度缺陷。

200度高溫存儲(chǔ)器

當(dāng)要從DRAM芯片中讀出數(shù)據(jù)時(shí)，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而后送出RAS鎖存信號(hào)，該信號(hào)的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS鎖存信號(hào)，也是在信號(hào)的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。然后保持WE=1，現(xiàn)貨150度存儲(chǔ)器公司，則在CAS有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。

當(dāng)需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時(shí)，行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部，然后，石油150度存儲(chǔ)器公司，WE有效，加上要寫入的數(shù)據(jù)，則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。

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EEPROM與閃存

從軟件角度看，獨(dú)立的EEPROM和閃存器件是類似的，兩者主要差別是EEPROM器件可以逐字節(jié)地修改，直插150度存儲(chǔ)器公司，而閃存器件只支持扇區(qū)擦除以及對(duì)被擦除單元的字、頁或扇區(qū)進(jìn)行編程。對(duì)閃存的重新編程還需要使用SRAM，因此它要求更長(zhǎng)的時(shí)間內(nèi)有更多的器件在工作，從而需要消耗更多的電池能量。設(shè)計(jì)工程師也必須確認(rèn)在修改數(shù)據(jù)時(shí)有足夠容量的SRAM可用。

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