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對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應離子刻蝕時,高純四氟化碳,通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。產(chǎn)品經(jīng)除塵,堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進行間歇粗餾,通過控制精餾溫度,除去O2、N2、H2,得到高純CF4。因為四氟化碳和四氟化1硅都是共價化合物,然而碳氟鍵的鍵能遠遠大于硅氟鍵的鍵能,鍵長也是前者短得多,所以四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。
儲存注意事項:儲存于陰涼、通風的不燃氣體庫房。遠離火種、熱源。庫溫不宜超過30℃。應與易(可)燃物、氧化劑分開存放,四氟化碳價格,切忌混儲。儲區(qū)應備有泄漏應急處理設(shè)備。四氟化碳作為制冷劑是一種無色不可燃氣體,能夠保障液體運輸?shù)陌踩浴T谂R床醫(yī)學中,四氟化碳還是一種高濃度的醉劑。由以上看出,四氟化碳的應用范圍廣泛,在下游電子產(chǎn)業(yè)等帶動下,行業(yè)快速發(fā)展。是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,高純氣高純氧的混合氣,可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻,在電子器件表面清洗、太陽能電池生產(chǎn)、激光技術(shù)、低溫制冷、泄漏檢驗、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。
在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,廣州四氟化碳,它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強,因此分離的可能性比較低。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,四氟化碳廠家,使反應繼續(xù)進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。
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