用正交試驗(yàn)法，對影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標(biāo)，以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設(shè)計(jì)，并開展了四因素三水平的正交試驗(yàn)。使用掃描電鏡對正交試驗(yàn)后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進(jìn)行了觀察；利用Image J軟件對陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進(jìn)行測量。

結(jié)果表明：影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率；

影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率；

采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果為：正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。

時間對微弧氧化封孔膜層增厚的影響

在其他工藝參數(shù)相同的情況下，不同封閉時間對陶瓷膜膜層增厚的影響。封閉時間較短時，膜層增厚較少；隨著時間的延長，膜層逐漸增厚；但是封閉時間過長，微弧氧化技術(shù)實(shí)驗(yàn)，如封閉時間超過60min后，膜層增厚并不顯著，而且有下降的趨勢。

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微弧氧化膜的性能特點(diǎn)

1、硬度極高，可達(dá)1500-2000HV，比一般陽極氧化或電鍍處理高許多。

2、耐磨性好。

3、耐腐蝕性好，耐中性鹽霧可達(dá)2000h以上。

4、絕緣性能良好。

5、附著力良好將工件加熱至300℃，立即浸入冷水中，鎂合金微弧氧化技術(shù)，反復(fù)數(shù)次都未發(fā)現(xiàn)氧化膜掉落。（內(nèi)容僅供參考）

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