微弧氧化的步驟

一、陽極氧化階段

將樣品置于一定的電解液中，通電后，樣品外表和陰極外表呈現(xiàn)無數(shù)細(xì)小的平均的白色氣泡，而且隨電壓升高，氣泡逐步變大變密，生成速率也不時加快。在到達(dá)擊穿電壓之前，這種現(xiàn)象不斷存在，這一階段就是陽極氧化階段。

二、火花放電階段

當(dāng)施加到樣品的電壓到達(dá)擊穿電壓時，樣品外表開端呈現(xiàn)無數(shù)細(xì)小、亮度較低的火花點(diǎn)。這些火花點(diǎn)密度不高，鋁合金微弧氧化現(xiàn)象，無爆鳴聲。在該階段，樣品外表開端構(gòu)成陶瓷層，但陶瓷層的生長速率很小，硬度和致密度較低，鋁合金微弧氧化，所以應(yīng)盡量減少這一階段的時間。

時間對微弧氧化封孔膜層增厚的影響

在其他工藝參數(shù)相同的情況下，鋁合金微弧氧化設(shè)備，不同封閉時間對陶瓷膜膜層增厚的影響。封閉時間較短時，膜層增厚較少；隨著時間的延長，膜層逐漸增厚；但是封閉時間過長，如封閉時間超過60min后，膜層增厚并不顯著，鋁合金微弧氧化顏色，而且有下降的趨勢。

日照微弧技術(shù)有限公司秉承“真誠服務(wù)、信譽(yù)為先”的經(jīng)營理念，非常注重產(chǎn)品質(zhì)量，贏得了廣大客戶的一致好評，竭誠歡迎新老客戶前來洽談、惠顧！

用正交試驗(yàn)法，對影響7075鋁合金微弧氧化膜層致密性的電參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。以膜層厚度和孔隙率作為指標(biāo)，以正向電壓、電流密度、正占空比和脈沖頻率作為因素設(shè)計，并開展了四因素三水平的正交試驗(yàn)。使用掃描電鏡對正交試驗(yàn)后微弧氧化陶瓷膜層的表面形貌進(jìn)行了觀察；利用Image J軟件對陶瓷膜層的膜層厚度及孔隙率進(jìn)行測量。

結(jié)果表明：影響微弧氧化陶瓷膜層厚度的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率；

影響微弧氧化膜層孔隙率的電參數(shù)順序從大到小依次為：正向電壓〉電流密度〉正占空比〉脈沖頻率；

采用綜合平衡法確定的電參數(shù)的優(yōu)化結(jié)果為：正向電壓550V、電流密度8 A/dm^2、正占空比20%、頻率400Hz。

鋁合金微弧氧化現(xiàn)象-鋁合金微弧氧化-日照微弧氧化電源由日照微弧技術(shù)有限公司提供?！拔⒒⊙趸?微弧氧化技術(shù),微弧氧化電源,微弧氧化廠家”選擇日照微弧技術(shù)有限公司，公司位于：山東省日照市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)高新6路創(chuàng)業(yè)中心C4棟，多年來，日照微弧技術(shù)堅(jiān)持為客戶提供好的服務(wù)，聯(lián)系人：趙先生。歡迎廣大新老客戶來電，來函，親臨指導(dǎo)，洽談業(yè)務(wù)。日照微弧技術(shù)期待成為您的長期合作伙伴！