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Flash存儲器的工作原理基于電荷捕獲技術(shù),通過向浮柵晶體管施加電壓來改變其電荷狀態(tài),從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲和擦除。Flash存儲器通常用于存儲文件、圖片、字庫等大容量的數(shù)據(jù)記錄,200度高溫內(nèi)存儲器型號,以及經(jīng)常讀但很少寫的數(shù)據(jù)。在智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機等消費電子產(chǎn)品中,F(xiàn)lash存儲器已成為主要的存儲介質(zhì)。
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門,之后在此基礎(chǔ)上,形成組合邏輯用于存儲信息,例如R-S鎖存器和門控D鎖存器,進而進一步組合復(fù)雜化,210度內(nèi)存儲器型號,形成我們所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器;所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電,存儲的信息自動清除,而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指RAM,而RAM分為動態(tài)RAM(DRAM)和靜態(tài)RAM(SRAM)。SDRAM、DDR SDRAM、DDRⅡ
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,內(nèi)存儲器,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。
EEPROM即電可擦可編程只讀存儲器。EEPROM可以在線擦除和重新編程,200度內(nèi)存儲器型號,一般用在即插即用。EEPROM的擦除不需要借助于其它設(shè)備,它是通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程;且可以Byte為小修位,不必將資料全部洗掉才能寫入。但由于EEPROM的存儲容量一般不大,因此主要應(yīng)用在小存儲數(shù)據(jù)的場合,比如電腦的BIOS ROM芯片和配置信息存儲等。
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