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MRM實驗中掃描的是一個質(zhì)量數(shù),所以掃描速度(2,000 amu/sec)已經(jīng)遠遠超過了MRM實驗的要求;過去制約速度的瓶頸是離子駐留時間,AB 5500串聯(lián)液質(zhì)設(shè)備哪里有,過去常需要幾十毫秒,如果過短,數(shù)據(jù)質(zhì)量會受到影響。對于MRM切換速度存在同樣的瓶頸。
5500的創(chuàng)新設(shè)計使其即使在2毫秒的駐留時間、2~3毫秒的MRM切換速度下,不降低數(shù)據(jù)質(zhì)量
(2)改善散射場:在離子萃取區(qū)適當(dāng)增加一定相輔助射頻電壓
譜圖質(zhì)量更高、離子阱內(nèi)的質(zhì)譜碎片更豐富的原因來自于:(1)脈沖氣的引入能更快地冷卻離子(2)脈沖氣和更高的RF電壓,能在很短的離子時間內(nèi)在離子阱內(nèi)產(chǎn)生更豐富的離子碎片信息
以前的Qtrap3200和Qtrap 4000,離子阱的掃描速度為4,000 amu/sec,Qtrap 5500提高到20,000 amu/sec。
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