壓控振蕩器簡介

壓控振蕩器（VCO）是許多可調(diào)通信、無線電、雷達(dá)、傳感和測量系統(tǒng)的關(guān)鍵元件。VCO本質(zhì)上是由輸入電壓（通常為模擬電壓）控制的振蕩器。因此，在整個可調(diào)范圍內(nèi)調(diào)節(jié)調(diào)諧電壓可以成比例地改變VCO的輸出射頻信號。 VCO是鎖相環(huán)路、函數(shù)發(fā)生器、頻率合成器、雷達(dá)、本地振蕩器（LO）中的關(guān)鍵元件，同時也是頻率可調(diào)頻率發(fā)生器測試和測量設(shè)備中的關(guān)鍵元件。

鎖相環(huán)電路中壓控振蕩器的SET響應(yīng)研究

空間輻射環(huán)境中的鎖相環(huán)在SET作用下，將產(chǎn)生頻率或相位偏差，甚至導(dǎo)致振蕩中止，造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環(huán)中的關(guān)鍵電路，七專級電壓可調(diào)振蕩器現(xiàn)貨，也是對SET敏感的部件之一。本文基于工藝校準(zhǔn)的器件模型，采用TCAD混合模擬的方法，針對180nm體硅CMOS工藝下高頻鎖相環(huán)中的壓控振蕩器，研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對壓控振蕩器SET響應(yīng)的影響，通過分析失效機(jī)理，電壓可調(diào)振蕩器現(xiàn)貨，以指導(dǎo)抗輻照壓控振蕩器的設(shè)計。研究結(jié)果表明，當(dāng)器件工作在截止區(qū)時，入射粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時鐘錯誤脈沖數(shù)隨著入射粒子LET的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高，轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差也是增大的。

1. 中心頻率指頻率調(diào)節(jié)范圍的中間值，CMOS輸出可達(dá)到245.0MHz，LVDS可達(dá)到2.1GHz， HCSL可達(dá)到700MHz。

2. 輸出方式根據(jù)需要采用不同的輸出。CMOS， LVDS， HCSL， True Sine都有不同的波形特征以及用途。

3. 工作電壓可根據(jù)具體型號選擇1.8V/2.5V/3.3V/5.0V。其中3.3V的應(yīng)用較為廣泛。

4. 壓控范圍通過調(diào)節(jié)控制電壓改變輸出頻率。單位為ppm，七專級電壓可調(diào)振蕩器現(xiàn)貨，范圍一般為±50~200ppm。

5. 頻率穩(wěn)定度在工作溫度范圍內(nèi)，對標(biāo)稱頻率允許的偏差，單位一般為百萬分之一即ppm。

6. 工作溫度工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)-40~85℃。特殊應(yīng)用會對溫度有更高的要求。

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