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利用壓控振蕩器來控制頻率
高頻壓控振蕩器的電壓控制頻率部份,七專級電壓可調(diào)振蕩器現(xiàn)貨, 通常是用變?nèi)荻O管C 與電感 L,電壓可調(diào)振蕩器現(xiàn)貨, 所接成的 LC 諧振電路。提高變?nèi)荻O管的逆向偏壓, 二極管內(nèi)的空泛區(qū)會加大, 兩導體面之距離一變長, 電容就降低了, 此 LC 電路的諧振頻率, 就會被提高. 反之, 降低逆向偏壓時, 二極管內(nèi)的電容變大, 頻率就會降低.
而低頻壓控振蕩器則依照不同頻率而選擇不同的方法,例如以改變對電容的充電速率為手段來得到一個電壓控制的電流源。參見波型產(chǎn)生器。
VCO采用多種封裝形式,通常采用表面貼裝封裝或同軸連接封裝。通常采用堅固及氣密性封裝,或者專門針對惡劣環(huán)境和滿足高可靠性標準(工業(yè)、商業(yè)或用途)進行封裝。因此,電鍍和封裝材料/技術(shù)通常滿足標準規(guī)定,能夠達到相關(guān)的運行溫度范圍、濕度、沖擊和振動要求。就大多數(shù)帶模擬電壓輸入設計的VCO而言,其輸出頻率與調(diào)諧電壓之間存在大致線性關(guān)系,但這并未考慮輸入電壓、輸入電流、負載和調(diào)諧電壓對輸出功率和頻率特性的綜合影響。這些影響可以采用推頻(VCO頻率變化與電源電壓的關(guān)系)和牽引(VCO頻率變化與輸出負載的關(guān)系)進行說明。
LC壓控型壓控振蕩器
在任何一種LC振蕩器中,將壓控可變電抗元件插入振蕩回路就可形成LC壓控振蕩器。早期的壓控可變電抗元件是電抗管,后來大都使用變?nèi)荻O管。圖 2是克拉潑型LC壓控振蕩器的原理電路。圖中,七專級電壓可調(diào)振蕩器現(xiàn)貨,T為晶體管,L為回路電感,C1、C2、Cv為回路電容,七專級電壓可調(diào)振蕩器現(xiàn)貨,Cv為變?nèi)荻O管反向偏置時呈現(xiàn)出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。當輸入控制電壓uc改變時,Cv隨之變化,因而改變振蕩頻率。這種壓控振蕩器的輸出頻率與輸入控制電壓之間的關(guān)系為VCO輸出頻率與控制電壓關(guān)系式中C0是零反向偏壓時變?nèi)荻O管的電容量;φ 是變?nèi)荻O管的結(jié)電壓;γ 是結(jié)電容變化指數(shù)。為了得到線性控制特性,可以采取各種補償措施。
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