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與普通的陽極氧化膜相比, 微弧氧化膜的空隙小,空隙率低,微弧氧化電源,與基質(zhì)結(jié)合緊密, 且在耐蝕、耐磨性能等方面得到了很大的提高。微弧氧化技術(shù)生成的膜層綜合性能優(yōu)良,高頻微弧氧化電源,與基體結(jié)合牢固, 且工藝簡單,100kw微弧氧化電源,對環(huán)境污染小, 目前對其生長規(guī)律、生長機(jī)理和影響因素等已經(jīng)有了較為深入的研究,微弧氧化電源指標(biāo), 在工業(yè)上得到了一定的應(yīng)用, 是一種具有發(fā)展?jié)摿Φ逆V合金表面處理技術(shù)。微弧氧化技術(shù)在現(xiàn)代工業(yè)中應(yīng)用匯越來越廣泛。
微弧氧化處理后的輕金屬基表面陶瓷膜層具有硬度高,耐蝕性強(qiáng),絕緣性好,膜層與基底金屬結(jié)合力強(qiáng),并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。微弧氧化采用低電壓方式,配置特質(zhì)的電解液,通過瞬時的等離子光化學(xué)反應(yīng),高溫離子尚未破壞到母材表層的情況下,母材外表形成一層硬質(zhì)氧化維護(hù)膜,從而達(dá)到對母材表面處理的效果。微弧氧化電源、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化生產(chǎn)線
微弧氧化工藝的整流電源特點:
操作方式:本控遠(yuǎn)控操作模式可選擇;
輸出控制方式:直流、單極脈沖或雙極脈沖輸出控制模式可選擇
恒流恒壓、恒功率三種控制模式可選擇
軟啟動時間:軟啟動工作時間可在0-2005范圍內(nèi)整定
整流方式:IGBT逆變軟開關(guān)整流,PWM脈沖步調(diào)制IGBT斬波
脈沖步調(diào)頻率范圍:1000-8000Hz;
人機(jī)操作界面:PLC彩色觸摸屏
主控制器:微弧氧化電源DSP微機(jī)數(shù)字觸發(fā)控制,PWM脈寬調(diào)節(jié)控制,脈沖移相分辨率≤1μ。
企業(yè): 日照微弧技術(shù)有限公司
手機(jī): 15563870760
電話: 0633-2299997
地址: 山東省日照市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)高新6路創(chuàng)業(yè)中心C4棟