公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

  就目前的半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展來(lái)說(shuō)，MOS管是作為半導(dǎo)體行業(yè)里基礎(chǔ)的器件之一，無(wú)論是在集成電路設(shè)計(jì)里，還是在板級(jí)電路的應(yīng)用上都是十分廣泛的。目前尤其是在大功率半導(dǎo)體行業(yè)里，各種結(jié)構(gòu)不同種類的MOS管更是發(fā)揮著不可i替代的作用。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

    伴隨著科技的不斷發(fā)展，電子設(shè)備的設(shè)計(jì)工程師務(wù)必持續(xù)追隨智能科技的腳步，寧海大電流mos，為商品選擇更為合適的電子元器件，大電流mos公司，才能使商品更合乎時(shí)期要求。在其中mos管是電子器件生產(chǎn)制造的基本上元器件，因而想要挑選合適的mos管就更要掌握它的特點(diǎn)和各種指標(biāo)數(shù)據(jù)。

      在mos管的型號(hào)選擇方法中，從結(jié)構(gòu)形式（N型或是P型）、工作電壓、電源開關(guān)性能、封裝要素及其知i名品牌，應(yīng)對(duì)不一樣的產(chǎn)品運(yùn)用，要求也跟著不一樣，下面我們會(huì)實(shí)際講解下mos管的封裝方式。

MOS管FET柵源保護(hù)：

1）避免 柵極 di/dt 過(guò)高

因?yàn)檫x用驅(qū)動(dòng)集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會(huì)造成推動(dòng)的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動(dòng)，或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過(guò)高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問(wèn)題的產(chǎn)生，一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個(gè)電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極間過(guò)壓

因?yàn)闁艠O與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會(huì)根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會(huì)使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時(shí)柵極非常容易累積正電荷也會(huì)使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，大電流mos生產(chǎn)廠家，保護(hù) MOS 管不被穿透。

3）安全防護(hù)漏源極中間過(guò)壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護(hù)電路，一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，大電流mos價(jià)格，功率管電源開關(guān)速率越快，造成的過(guò)壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對(duì)策。

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