200度高溫存儲器

北京啟爾特石油科技新到一批145度、150度、175度、210度、225度高溫存儲器，美國原廠進口，耐高溫，性能穩(wěn)定，各種容量都有，適用于隨鉆儀器及其他石油測井勘探領域，感興趣的客戶，歡迎來電咨詢！

存儲器（Memory）是現(xiàn)代信息技術中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統(tǒng)中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和終運行結果都保存在存儲器中。存儲器（Memory）是現(xiàn)代信息技術中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統(tǒng)中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和終運行結果都保存在存儲器中。

存儲器的分類電的存儲器是指電寫電讀的存儲器，主要分為兩大類，如圖一所示：

揮發(fā)性存儲器（Volatile Memory，VM）：電源開啟時資料存在，電源關閉則資料立刻流失（資料揮發(fā)掉），例如：SRAM、DRAM、SDRAM、DDR-SDRAM 等。

非揮發(fā)性存儲器（Non-Volatile Memory，NVM）：電源開啟時資料存在，電源關閉資料仍然可以保留，例如：ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM、FRAM、MRAM、RRAM、PCRAM 等。

存儲器的分類電的存儲器是指電寫電讀的存儲器，石油210度存儲器參數(shù)，主要分為兩大類，如圖一所示：

 

200度測井存儲器供應商

北京啟爾特石油科技新到一批145度、150度、175度、210度、225度高溫存儲器，測井210度存儲器參數(shù)，美國原廠進口，耐高溫，性能穩(wěn)定，各種容量都有，適用于隨鉆儀器及其他石油測井勘探領域，感興趣的客戶，歡迎來電咨詢！

 

 

flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，210度存儲器，所以大多數(shù)情況下，在進行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。

由于擦除NOR器件時是以64~128KB的塊進行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5ms，與此相反，擦除NAND器件是以8~32KB的塊進行的，執(zhí)行相同的操作只需要4ms。

執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統(tǒng)計表明，對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。

● NOR的讀速度比NAND稍快一些。

● NAND的寫入速度比NOR快很多。

● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5ms快。

● 大多數(shù)寫入操作需要行擦除操作。

● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

 

 

現(xiàn)貨150度存儲器

北京啟爾特石油科技新到一批150度高溫存儲器，此款存儲器存儲容量256kb，直插210度存儲器參數(shù)，溫度可到175度，很多客戶采用串聯(lián)方式使用，適用于隨鉆儀器及其他石油測井勘探領域，感興趣的客戶，歡迎來電咨詢！

配置存儲器：對于現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA）或片上系統(tǒng)(SoC)，人們使用存儲器來存儲配置信息。這種存儲器必須是非易失性EPROM、EEPROM或閃存。大多數(shù)情況下，F(xiàn)PGA采用SPI接口，但一些較老的器件仍采用FPGA串行接口。串行EEPROM或閃存器件為常用，EPROM用得較少。

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