公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，3080mos生產(chǎn)廠家，為您量身定制適合的芯片方案。

分辨MOS管優(yōu)劣的辦法有二種：

一種：定性分辨MOS管的優(yōu)劣

先用萬用表R×10kΩ擋(內(nèi)嵌有9V或15V充電電池)，3080mos公司，把負表筆(黑)接?xùn)艠O(G)，正表筆(紅)接源極(S)。給柵，源極中間電池充電，這時萬用表表針有輕度偏轉(zhuǎn)。再改成萬用表R×1Ω擋，將負表筆接漏極(D)，正筆接源極(S)，萬用表標(biāo)示值若為幾歐母，則表明MOS管是好的。

第二種：定性分辨結(jié)型MOS管的電級

將萬用表撥至R×100檔，紅表筆隨意接一個腳管，黑表筆則接另一個腳管，3080mos廠家，使第三腳懸在空中。若發(fā)覺表針有輕微的晃動，就證實第三腳為柵極。欲得到更顯著的觀查實際效果，還可電子振動挨近或是用手指觸碰懸在空中腳，慈溪3080mos，只需見到表針作大幅偏轉(zhuǎn)，即表明懸在空中腳是柵極，其他二腳分別是源極和漏極。

MOS管FET柵源保護：

1）避免 柵極 di/dt 過高

因為選用驅(qū)動集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動，或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生，一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免 柵源極間過壓

因為柵極與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，保護 MOS 管不被穿透。

3）安全防護漏源極中間過壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護電路，一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關(guān)速率越快，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護對策。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管可以用作可變電阻也可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。且場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開關(guān)。

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