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壓控振蕩器類型的了解
壓控振蕩器的類型有LC壓控振蕩器、RC壓控振蕩器和晶體壓控振蕩器。對壓控振蕩器的技術(shù)要求主要有:頻率穩(wěn)定度好,控制靈敏度高,調(diào)頻范圍寬,頻偏與控制電壓成線性關(guān)系并宜于集成等。晶體壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度高,七專級壓控振蕩器加工,但調(diào)頻范圍窄,RC壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度低而調(diào)頻范圍寬,LC壓控振蕩器居二者之間。
電壓控制振蕩器 (VCO) 的基礎(chǔ)知識
許多電子應用需要根據(jù)其他信號的幅值來改變某個信號的頻率。調(diào)頻信號便是一個很好的例子,七專級壓控振蕩器加工,其中的載波頻率隨著調(diào)制源幅值的變化而變化。此外,還有鎖相環(huán) (PLL):這種電路使用控制系統(tǒng)來改變振蕩器的頻率和/或相位,以匹配輸入?yún)⒖夹盘柕念l率/相位。
設(shè)計者的目標是:確定如何盡可能以低成本的方式實現(xiàn)該功能,七專級壓控振蕩器加工,同時確保精度、可靠性以及不受時間和溫度影響的穩(wěn)定性。
這就是壓控振蕩器 (VCO) 的功能。這類器件用于提供一種頻率會在合理的范圍內(nèi)隨輸入信號的電壓幅值變化而變化的輸出信號。壓控振蕩器可用于 PLL、頻率和相位調(diào)制器、雷達和許多其他電子系統(tǒng)中。
鎖相環(huán)電路中壓控振蕩器的SET響應研究
空間輻射環(huán)境中的鎖相環(huán)在SET作用下,壓控振蕩器加工,將產(chǎn)生頻率或相位偏差,甚至導致振蕩中止,造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環(huán)中的關(guān)鍵電路,也是對SET敏感的部件之一。本文基于工藝校準的器件模型,采用TCAD混合模擬的方法,針對180nm體硅CMOS工藝下高頻鎖相環(huán)中的壓控振蕩器,研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對壓控振蕩器SET響應的影響,通過分析失效機理,以指導抗輻照壓控振蕩器的設(shè)計。研究結(jié)果表明,當器件工作在截止區(qū)時,入射粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時鐘錯誤脈沖數(shù)隨著入射粒子LET的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高,轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差也是增大的。
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