在氧化層中大部分的電荷效應是直接或間接地同熱氧化的工藝過程有關的。在800—1250~C的溫度范圍內(nèi)，用干氧、濕氧或水汽進行的熱氧化過程有三個持續(xù)的階段，首先是環(huán)境氣氛中的氧進入到已生成的氧化層中，然后氧通過二氧化硅向內(nèi)部擴散，當它到達Si02-Si界面時就同硅發(fā)生反應，形成新的二氧化硅。這樣不斷發(fā)生著氧的進入—擴散—反應過程，鈍化工藝，使靠近界面的硅不斷轉化為二氧化硅，金華鈍化，氧化層就以一定的速率向硅片內(nèi)部生長。

吸附理論認為，金屬表面并不需要形成固態(tài)產(chǎn)物膜才鈍化，而只要表面或部分表面形成一層氧或含氧粒子（如O2-或OH-）的吸附層也就足以引起鈍化了。這吸附層雖只有單分子層厚薄，但由于氧在金屬表面上的吸附，改變了金屬與溶液的界面結構，使電極反應的活化能升高，表面鈍化，金屬表面反應能力下降而鈍化。此理論主要實驗依據(jù)是測量界面電容和使某些金屬鈍化所需電量。實驗結果表明，金屬鈍化，不需形成成相膜也可使一些金屬鈍化。

當金屬溶解時，處在鈍化條件下，在表面生成緊密的、覆蓋性良好的固態(tài)物質，這種物質形成獨鈍化立的相，稱為鈍化膜或稱成相膜，此膜將金屬表面和溶液機械地隔離開，使金屬的溶解速度大大降低，而呈鈍態(tài)。實驗證據(jù)是在某些鈍化的金屬表面上，可看到成相膜的存在，并能測其厚度和組成。

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