四氟化碳貯存注意事項(xiàng)：氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶?jī)?nèi)的氣體不能全部用盡，四氟化碳公司，應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。四氟化碳對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，四氟化碳廠家，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳是當(dāng)前微電子工業(yè)中應(yīng)用量高的等離子體蝕刻氣體，被廣泛應(yīng)用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外，四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域有著應(yīng)用。

含鎂大于2%的合金不能用。在高溫，一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長(zhǎng)的次序由小到大地排列則如下：因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。四氟化1碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化1碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。將其通過(guò)裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟1化硅，隨后通過(guò)硅膠和五氧1化二磷干燥塔得到終產(chǎn)品。由于化學(xué)穩(wěn)定性極強(qiáng)，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。

 在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時(shí)會(huì)分離。碳-氟鍵比較強(qiáng)，因此分離的可能性比較低。反應(yīng)放熱后，氟開(kāi)始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼?，四氟化碳，使反?yīng)繼續(xù)進(jìn)行，生成氣體通過(guò)液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。

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