晶體振蕩器的的穩(wěn)定度

     晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度是振蕩電路的重要技術(shù)指標(biāo)，在一般LC振蕩電路中，盡管采取各種穩(wěn)頻措族，其頻率穩(wěn)定僅能達(dá)到10負(fù)4次方~10負(fù)5次方量級。如果要求頻率穩(wěn)定度優(yōu)于10負(fù)5次方量級，就必須采用晶體振蕩電路。晶體振蕩電路是采用石英諧振器作為振蕩回路元件的電路，上偏晶振原廠，它是利用石英諧振器的諧振特性控制和穩(wěn)定振蕩電路的振蕩頻率。石英諧振器是從石英晶體中按一定方位角切下為AT、BT、CT、DT、ET、GT和X 5等切型。常用的幾種切型的主要性能見表5.3-3石英片的振動(dòng)具有多諧性，除基頻振動(dòng)外，還有奇次諧波的泛音振動(dòng)。一個(gè)石英諧振器既可利用其基頻振動(dòng)，也可利用其泛音振動(dòng)，前者稱為基音晶體，后者稱為泛音晶體。泛音晶體和基音晶體的等效電路（見圖5.1-10)相同，上偏晶振報(bào)價(jià)，但參數(shù)值不同。泛音頻率與基音頻率不成整數(shù)倍關(guān)系，只在奇數(shù)倍附近，且不能同時(shí)存在。泛音晶體一般利用3次和5次的泛音振動(dòng)，而很少采用9次以上的泛音振動(dòng)。由于石英諧振器具有極高的Q值，很小的P值，良好的物理與化學(xué)穩(wěn)定性以及很高的回路標(biāo)準(zhǔn)性，因而，晶體振蕩電路具有很高的頻率穩(wěn)定度。一般采用低精度石英諧振器時(shí)，頻率穩(wěn)定度可達(dá)10負(fù)5次方量級。

晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)

晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件。它的基本構(gòu)成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下的薄片(在它的兩個(gè)對應(yīng)面上涂敷銀層作為電極)，上偏晶振，還有IC芯片以及相應(yīng)的電阻電容和微小線路板組成的振蕩電路，再加上封裝外殼就構(gòu)成了晶體振蕩器，一般簡稱為晶振。其產(chǎn)品大多用金屬外殼封裝，上偏晶振現(xiàn)貨，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。

不同的工程使用，對晶體振蕩器頻率的技術(shù)性能要求不同。有的要求頻率短期穩(wěn)定度高；有的要求簡單好用；有的要求長期穩(wěn)定性高；有的要求開機(jī)后短時(shí)間內(nèi)能穩(wěn)定工作；有的要求能抗很強(qiáng)的沖擊與振動(dòng)等等。

溫補(bǔ)晶振介紹

溫補(bǔ)晶振輸出方式分：削峰正弦波輸出（ /-1ppm@-40℃-- 85℃），CMOS 方波輸出（ /-1ppm@-40℃-- 85℃），LVDS 差分方波輸出（ /-1ppm@-40℃-- 85℃）（0.8p 低抖動(dòng)）。另外溫補(bǔ)晶振 32.768KHz 低功耗可達(dá)（0.79μA@1.8V，1.05μA@2.5V，1.25μA@3.0V，1.37μA@3.3V，2.05μA@5V）。

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