晶體諧振器的關(guān)鍵參數(shù)和主要用途

石英石晶體在電源電路中作為時(shí)間或是頻率標(biāo)準(zhǔn)源，石英晶體諧振器報(bào)價(jià)，稱得上機(jī)器設(shè)備。決策著電子產(chǎn)品的特性可靠性。 關(guān)鍵性能參數(shù)有： 靜電容(晶體端中間的電容)； 動(dòng)態(tài)性電容 (震動(dòng)彈性)； 動(dòng)態(tài)性電感器 (震動(dòng)品質(zhì))； 串聯(lián)電阻(耗能)； Q值(耦合電路質(zhì)量)； (負(fù)荷電容)； -R(負(fù)電阻器特點(diǎn))； DLD(鼓勵(lì)輸出功率轉(zhuǎn)變?cè)斐商匦宰杩棺宰兞?； 調(diào)節(jié)頻差； 溫度頻差。晶宇興晶振電路偏重于供貨工業(yè)設(shè)備，石英晶體諧振器廠家，高精密儀表盤，研究室，行業(yè)等。

石英晶體諧振器的主要參數(shù)

晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率，負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。不同的晶振標(biāo)稱頻率不同，標(biāo)稱頻率大都標(biāo)明在晶振外殼上。如常用普通晶振標(biāo)稱頻率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，對(duì)于特殊要求的晶振頻率可達(dá)到1000 MHz以上，也有不具標(biāo)稱頻率的，如CRB 、ZTB、Ja等系列。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定諧振器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w諧振器有兩個(gè)諧振頻率，一個(gè)是串聯(lián)諧振晶振的低負(fù)載電容晶振：另一個(gè)為并聯(lián)諧振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致，不能冒然互換，否則會(huì)造成電器工作不正常。頻率精度和頻率穩(wěn)定：由于普通晶振的性能基本性能達(dá)到一般電器的要求，對(duì)于設(shè)備還需要有一定的頻率精度和頻率穩(wěn)定性。頻率精度從量級(jí)到量級(jí)不等。穩(wěn)定度從±1到±100ppm不等。這要根據(jù)具體的設(shè)備需要而選擇合適的晶振，石英晶體諧振器加工，如通信網(wǎng)絡(luò)，無(wú)線資料傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要更高要求的石英晶體諧振器。因此，晶振的參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。

直插晶體諧振器(DIP)

晶體諧振器（DIP）也叫直插無(wú)源晶振，需要用數(shù)字信號(hào)處理DSP片內(nèi)的振蕩器；無(wú)源晶振沒(méi)有電壓的，信號(hào)電平是可變的，石英晶體諧振器，也就是說(shuō)是根據(jù)起振電路來(lái)決定的。同樣的晶體可以適用于多種電壓，可用于多種不同時(shí)鐘信號(hào)電壓要求的DSP，而且價(jià)格通常也較低。無(wú)源晶振通常需要準(zhǔn)確匹配外圍電路（用于信號(hào)匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時(shí)周邊配置電路需要做相應(yīng)的調(diào)整。

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