高純四氟化碳主要用于集成電路、半導(dǎo)體的等離子刻蝕領(lǐng)域，可用來蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料，是用量大的等離子蝕刻氣體。此外，北京四氟化碳，高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽能電池生產(chǎn)等領(lǐng)域。四氟化碳用于各種集成電路的等離子刻蝕工藝，也用作激光氣體，用于低溫制冷劑、溶劑、潤滑劑、絕緣材料、紅外檢波管的冷卻劑。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化后，隨后通過硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。

四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因為導(dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，四氟化碳價格，它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強(qiáng)，因此分離的可能性比較低。四氟化碳在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng)，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時，高純四氟化碳，會分解產(chǎn)生有毒氟化物。

四氟化碳亦稱全氟化碳、四氟甲4烷、全氟化碳，為非腐蝕性氣體，所有通用材料如鋼、不銹鋼、銅、青銅，鋁等金屬材料都可以使用。四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，四氟化碳公司，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中，向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。

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