對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好?；衔锏臒岱€(wěn)定性主要與化學(xué)鍵的鍵能及鍵長(zhǎng)有關(guān)。零下198 °C時(shí)，四氟化碳廠家，四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu)，高純四氟化碳，晶格常數(shù)為a = 8.597， b= 4.433， c = 8.381 (.10-1 nm)， β = 118.73° 。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來(lái)源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中，緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼?，并通過(guò)加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。四氟化碳，又稱為四氟甲1烷、Freon-14及R 14，是一種鹵代烴(化學(xué)式:CF4)。它既可以被視為一種鹵代烴、鹵代甲1烷、全氟化碳，也可以被視為一種無(wú)機(jī)化合物。它在大氣中的壽命約為50，四氟化碳，000年，增溫(暖化)系數(shù)是6，500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似，但四氟化碳不會(huì)破壞臭氧層。

高純四氟化碳主要用于集成電路、半導(dǎo)體的等離子刻蝕領(lǐng)域，可用來(lái)蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料，是用量大的等離子蝕刻氣體。此外，高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)等領(lǐng)域。四氟化碳用于各種集成電路的等離子刻蝕工藝，四氟化碳多少錢(qián)，也用作激光氣體，用于低溫制冷劑、溶劑、潤(rùn)滑劑、絕緣材料、紅外檢波管的冷卻劑。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。生成氣體通過(guò)液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化后，隨后通過(guò)硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。

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