串聯(lián)型晶體振蕩器的類型與電路的振蕩過程

因為信號是反饋到VT1發(fā)射極，現(xiàn)假設(shè)VT1發(fā)射極電壓瞬時極性為“ ”，集電極電壓極性為“ ”（發(fā)射極與集電極是同相關(guān)系，當發(fā)射極電壓上升時集電極電壓也上升），VT2的基極電壓極性為“ ”，發(fā)射極電壓極性也為“ ”，該極性的電壓通過X1反饋到VT1的發(fā)射極，反饋電壓極性與假設(shè)的電壓極性相同，方波輸出晶振生產(chǎn)廠家，故該反饋為正反饋。

接通電源后，三極管VT1、VT2導通，VT2發(fā)射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號，石英晶體X1對其中的f0信號阻抗很小，f0信號經(jīng)X1、RP1反饋到VT1的發(fā)射極，該信號經(jīng)VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發(fā)射極輸出，然后又通過X1反饋到VT1放大，如此反復(fù)進行，方波輸出晶振報價，VT2輸出的f0信號幅度越來越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數(shù)越來越小，當放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時，方波輸出晶振廠家，輸出f0信號幅度不再變化，電路輸出穩(wěn)定的f0信號。

晶體振蕩器的頻差

在規(guī)定的時間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標稱頻率的較大偏差。

說明：總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率老化率造成的偏差、頻率電壓特性和頻率負載特性等共同造成的較大頻差。一般只在對短期頻率穩(wěn)定度關(guān)心，而對其他頻率穩(wěn)定度指標不嚴格要求的場合采用。例如：精密制導雷達。

晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)

晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件。它的基本構(gòu)成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下的薄片(在它的兩個對應(yīng)面上涂敷銀層作為電極)，還有IC芯片以及相應(yīng)的電阻電容和微小線路板組成的振蕩電路，再加上封裝外殼就構(gòu)成了晶體振蕩器，方波輸出晶振，一般簡稱為晶振。其產(chǎn)品大多用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。

不同的工程使用，對晶體振蕩器頻率的技術(shù)性能要求不同。有的要求頻率短期穩(wěn)定度高；有的要求簡單好用；有的要求長期穩(wěn)定性高；有的要求開機后短時間內(nèi)能穩(wěn)定工作；有的要求能抗很強的沖擊與振動等等。

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