MOS管失效的兩個(gè)主要原因：

電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOS管額定電壓，達(dá)到一定容量，造成MOS管失效。

柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，2090mos公司，造成柵氧層故障。

雪崩破壞到底是什么？簡(jiǎn)單地說(shuō)，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡(jiǎn)而言之，即MOS管漏源極的電壓超過(guò)了它規(guī)定的電壓值，并且達(dá)到了某一能量極限i時(shí)所產(chǎn)生的常見(jiàn)故障。

造成柵電壓異常高的主要原因有三個(gè)：生產(chǎn)、運(yùn)輸和裝配過(guò)程中的靜電；設(shè)備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生高壓諧振；在高壓沖擊時(shí)，高壓通過(guò)Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測(cè)試時(shí)這種故障更為常見(jiàn))。

公司成立于2013年7月，2090mos，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別：場(chǎng)效應(yīng)管的柵極也就是晶體管的那個(gè)基極，漏極和源極分別是對(duì)應(yīng)晶體管的集電極和發(fā)射極。把萬(wàn)用表調(diào)到R×1k檔，用兩表筆分別去測(cè)量?jī)蓚€(gè)管腳間的正向電阻和反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正向電阻=反向電阻=KΩ的時(shí)候，也就是這兩個(gè)管腳為源極S和漏極D，剩下的管腳就是柵極G。如果是4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，另外的一極則是使用中接地的屏蔽極。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，WP2090mos，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

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