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封裝用IGBT測試儀批發(fā)按需定制 華科IGBT測試臺

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發(fā)布時間:2020-07-17 05:43  

主要參數(shù) 測試范圍 精度要求 測試條件

Vce

集射極電壓 150~3300V 150~500V±3%±1V;

500~1000V±2%±2V;

1000~3300V±1%±5V; 150~3300V

Ic

集射極電流 1~200A 1~200A±3%±1A; 1~200A

Vge

柵極電壓 -30V~30V -30~0V±1%±0.1V;

0~ 30V±1%±0.1V -30V~30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0~50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關(guān)斷延遲 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時間 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns;

Eon、Eoff

開通/關(guān)斷能量 1~5000mJ 1~50mJ±2%±0.1mJ;

50~200mJ±2%±1mJ;

200~1000mJ±2%±2mJ;

1000~5000mJ±1%±5mJ;


表格12動態(tài)參數(shù)測試部分組成

序號 組成部分 單位 數(shù)量

1 可調(diào)充電電源 套 1

2 直流電容器 個 8

3 動態(tài)測試負載電感 套 1

4 安全工作區(qū)測試負載電感 套 1

5 補充充電回路限流電感L 個 1

6 短路保護放電回路 套 1

7 正常放電回路 套 1

8 高壓大功率開關(guān) 個 5

9 尖峰抑制電容 個 1

10 主回路正向?qū)ňчl管 個 2

11 動態(tài)測試續(xù)流二極管 個 2

12 安全工作區(qū)測試續(xù)流二極管 個 3

13 被測器件旁路開關(guān) 個 1

14 工控機及操作系統(tǒng) 套 1

15 數(shù)據(jù)采集與處理單元 套 1

16 機柜及其面板 套 1

17 壓接夾具及其配套系統(tǒng) 套 1

18 加熱裝置 套 1

19 其他輔件 套 1


14)工控機及操作系統(tǒng)

用于控制及數(shù)據(jù)處理,采用定制化系統(tǒng),主要技術(shù)參數(shù)要求如下:

?機箱:4Μ 15槽上架式機箱;

?支持ATX母板;

?CPΜ:INTEL雙核;

?主板:研華SIMB;

?硬盤:1TB;內(nèi)存4G;

?3個5.25”和1個3.5”外部驅(qū)動器;

?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

?西門子PLC邏輯控制

15)數(shù)據(jù)采集與處理單元

用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理,主要技術(shù)參數(shù)要求如下:

?示波器;高壓探頭:滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?電流探頭:滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?狀態(tài)監(jiān)測:NI數(shù)據(jù)采集卡

?上位機:基于Labview人機界面

?數(shù)據(jù)提?。簻y試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式,特別是動態(tài)測試波形可存儲為數(shù)據(jù)格式;所檢測數(shù)據(jù)可傳遞至上位機處理;從檢測部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機處理后可自動列表顯示相應(yīng)測試數(shù)據(jù);?數(shù)據(jù)處理和狀態(tài)檢測部分內(nèi)容可擴展


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