不少低密度、的金屬基復(fù)合材料非常適合航空、航天用途。金屬基復(fù)合材料的基體材料有很多種，但作為熱匹配復(fù)合材料用于封裝的主要是Cu基和燦基復(fù)合材料。金屬外殼制作工藝大致可以分為3種、一種是全CNC加工，一種是壓鑄，還有就是將CNC與壓鑄結(jié)合使用。Cu／W和Cu／Mo為了降低Cu的CTE，可以將銅與CTE數(shù)值較小的物質(zhì)如Mo、W等復(fù)合，得到Cu／W及Cu／Mo金屬-金屬?gòu)?fù)合材料。這些材料具有高的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，同時(shí)融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根據(jù)組元相對(duì)含量的變化進(jìn)行調(diào)整，可以用作封裝底座、熱沉，還可以用作散熱片。非常好的導(dǎo)熱性，提供熱耗散；③非常好的導(dǎo)電性，減少傳輸延遲；④良好的EMI／RFI屏蔽能力； ⑤較低的密度，足夠的強(qiáng)度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可鍍覆性、可焊性和耐蝕性，以實(shí)現(xiàn)與芯片、蓋板、印制板的可靠結(jié)合、密封和環(huán)境的保護(hù)；⑦較低的成本。傳統(tǒng)金屬封裝材料包括Al、Cu、Mo、W、鋼、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等

一種金屬封裝外殼及其制備工藝的制作方法

耐高溫、耐腐蝕等特點(diǎn)，使得內(nèi)部電路能在一個(gè)氣密的環(huán)境下運(yùn)行而不受水汽、其他有害氣體或離子以及射線的干擾，延長(zhǎng)使用壽命，解決了現(xiàn)有的塑料外殼氣密性差、使用壽命短以及屏蔽性差的問(wèn)題。本發(fā)明涉及一種金屬封裝外殼及其制備工藝，屬于芯片封裝領(lǐng)域。

外殼作為集成電路的關(guān)鍵組件之一。

所述殼體外部引線與殼體內(nèi)部引線通過(guò)釬焊連接，連接處位于封接孔內(nèi)。所述殼體為10#鋼，所述底板為無(wú)氧銅，所述引線材料為4J50包銅芯，所述絕緣子 材料為鐵封玻璃。

一種金屬封裝外殼的制備工藝，包括如下步驟：首先，將引線裝入模具對(duì)應(yīng)釬焊引線孔內(nèi)，將焊料圈套于釬焊引線上，其次，將管 座內(nèi)腔朝上裝入已經(jīng)裝好引線和焊料圈的模具凹槽中，并調(diào)節(jié)引線對(duì)準(zhǔn)封接孔。