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發(fā)布時(shí)間:2020-07-30 14:02  







磁控濺射鍍膜設(shè)備及技術(shù)

(專利技術(shù))該設(shè)備選用磁控濺射鍍一層薄薄的膜(MSP)技術(shù)性,是這種智能、率的鍍膜設(shè)備??梢罁?jù)客戶規(guī)定配備轉(zhuǎn)動(dòng)磁控靶、單脈沖濺射靶、中頻孿生濺射靶、非均衡磁控濺射靶、霍耳等離子技術(shù)源、考夫曼離子源、直流電單脈沖累加式偏壓開關(guān)電源等,組態(tài)靈便、主要用途普遍,主要用于金屬材料或非金屬材料(塑膠、夾層玻璃、瓷器等)的鋼件鍍鋁、銅、鉻、鈦金板、銀及不銹鋼板等陶瓷膜或式陶瓷膜及滲金屬材料DLC膜,所鍍一層薄薄的膜層勻稱、高密度、粘合力強(qiáng)等特性,可普遍用以電器產(chǎn)品、時(shí)鐘、陶瓷藝術(shù)品、小玩具、大燈反光罩及其儀表設(shè)備等表層裝飾藝術(shù)鍍一層薄薄的膜及工磨具的作用鍍層。2離子轟擊滲擴(kuò)技術(shù)性的特性(1)離子轟擊滲擴(kuò)更快因?yàn)檫x用低溫等離子無(wú)心插柳,為滲劑分子和正離子的吸咐和滲人造就了高寬比活性的表層,提升了結(jié)晶中缺點(diǎn)的相對(duì)密度,比傳統(tǒng)式的汽體滲擴(kuò)技術(shù)性速率明顯增強(qiáng)。濺射方法很多,主要有二級(jí)濺射、三級(jí)或四級(jí)濺射、磁控濺射、對(duì)靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對(duì)稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。在一樣加工工藝標(biāo)準(zhǔn)下,滲層深度1在0.05二以內(nèi),比汽體滲擴(kuò)提升1倍。在較高溫度下,1h就能達(dá)lmm厚。(2)對(duì)鋼件表層改..

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磁控濺射

磁控濺射是物理的氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料,且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),而上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來(lái)的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。運(yùn)用單脈沖磁控濺射技術(shù)性能夠擺脫這種缺陷,單脈沖頻率為中頻10~200kHz,能夠合理避免靶材電弧放電及平穩(wěn)反應(yīng)濺射堆積加工工藝,保持髙速堆積高品質(zhì)反映塑料薄膜。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射,必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng),利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。

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磁控濺射鍍膜機(jī)工藝

關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化

關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化基于實(shí)驗(yàn)探索。實(shí)驗(yàn)是在自制的雙室直流磁控濺射鍍膜設(shè)備上進(jìn)行的。如果轟擊離子能量很高時(shí),濺射的原子數(shù)與轟擊離子數(shù)之比值將減小,這是因?yàn)檗Z擊離子能量過(guò)高而發(fā)生離子注入現(xiàn)象的緣故。該設(shè)備的鍍膜室采用內(nèi)腔尺寸為6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形狀,抽氣系統(tǒng)采用兩套K600 擴(kuò)散泵機(jī)組,靶材采用德國(guó)Leybold 公司生產(chǎn)的陶瓷靶,ITO 薄膜基底是尺寸為1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。

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磁控濺射鍍膜機(jī)的優(yōu)勢(shì)

1.實(shí)用性:設(shè)備集成度高,結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小,可以滿足客戶實(shí)驗(yàn)室空間不足的苛刻條件;通過(guò)更換設(shè)備上下法蘭可以實(shí)現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換,實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用;

2.方便性:設(shè)備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式,接線及安裝調(diào)試簡(jiǎn)單,既保證了設(shè)備使用方便又保證了設(shè)備的整潔;

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