隨著全球制造業(yè)高速發(fā)展，真空鍍膜技術(shù)應(yīng)用越來(lái)越廣泛。觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后，關(guān)予抽，開(kāi)前機(jī)和高閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達(dá)一定程度后才能開(kāi)右邊的高真空表頭，觀察真空度。從半導(dǎo)體集成電路、LED、顯示器、觸摸屏、太陽(yáng)能光伏、化工、制藥等行業(yè)的發(fā)展來(lái)看，對(duì)真空鍍膜設(shè)備、技術(shù)、材料需求都在不斷增加，包括制造大規(guī)模集成電路的電學(xué)膜;數(shù)字式縱向與橫向均可磁化的數(shù)據(jù)紀(jì)錄儲(chǔ)存膜;充分展示和應(yīng)用各種光學(xué)特性的光學(xué)膜;計(jì)算機(jī)顯示用的感光膜;TFT、PDP平面顯示器上的導(dǎo)電膜和增透膜;建筑、汽車行業(yè)上應(yīng)用的玻璃鍍膜和裝飾膜;包裝領(lǐng)域用防護(hù)膜、阻隔膜;裝飾材料上具有各種功能裝飾效果的功能膜;工、模具表面上應(yīng)用的耐磨超硬膜;納米材料研究方面的各種功能性薄膜等。

真空電鍍?cè)O(shè)備膜厚的不均勻問(wèn)題

無(wú)論監(jiān)控儀精度怎樣，它也只能控制真空室里單點(diǎn)位置的膜厚，一般來(lái)講是工件架的中間位置。3、依托政府支持，大力加強(qiáng)與擁有行業(yè)先進(jìn)技術(shù)和工藝水平的科研院所、大型企業(yè)、高校合作，使得新品能迅速推向市場(chǎng)。如果真空電鍍?cè)O(shè)備此位置的膜厚不是均勻的，那么遠(yuǎn)離中心位置的基片就無(wú)法得到均勻的厚度。雖然屏蔽罩能消除表現(xiàn)為長(zhǎng)期的不均勻性，但有些膜厚度的變化是由蒸發(fā)源的不穩(wěn)定或膜材的不同表現(xiàn)而引起的，所以幾乎是不可能消除的，但對(duì)真空室的結(jié)構(gòu)和蒸發(fā)源的恰當(dāng)選擇可以使這些影響化。

在過(guò)去幾年中，越來(lái)越多的用戶要求鍍膜系統(tǒng)制造廠家提供高性能的小規(guī)格、簡(jiǎn)便型光學(xué)鍍膜系統(tǒng)，同時(shí)，用戶對(duì)性能的要求不僅沒(méi)有降低，反而有所提高，特別是在薄膜密度和保證吸水后光譜變化小化等方面。

現(xiàn)在，系統(tǒng)的平均尺寸規(guī)格已經(jīng)在降低，而應(yīng)用小規(guī)格設(shè)備進(jìn)行光學(xué)鍍膜的生產(chǎn)也已經(jīng)轉(zhuǎn)變成為純技術(shù)問(wèn)題。隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)材料的綜合性能要求也不斷提高，單一材料性能已不能滿足某些特定環(huán)境下工作機(jī)械的性能要求。因此，選用現(xiàn)代化光學(xué)鍍膜系統(tǒng)的關(guān)鍵取決于對(duì)以下因素的認(rèn)真考慮：對(duì)鍍膜產(chǎn)品的預(yù)期性能，基片的尺寸大小和物理特性以及保證高度一致性工藝所必需的所有技術(shù)因素。

真空鍍膜機(jī)-操作步驟

一、電控柜的操作;

開(kāi)維持泵、真空計(jì)電源，真空計(jì)檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進(jìn)入下一步操作。約需5分鐘。 開(kāi)機(jī)械泵、予抽，開(kāi)渦輪分子泵電源、啟動(dòng)，真空計(jì)開(kāi)關(guān)換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。

觀察渦輪分子泵讀數(shù)到達(dá)250以后，關(guān)予抽，開(kāi)前機(jī)和高閥繼續(xù)抽真空，抽真空到達(dá)一定程度后才能開(kāi)右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達(dá)2×10-3以后才能開(kāi)電子槍電源。