溫補(bǔ)振蕩器的優(yōu)點(diǎn)

       溫補(bǔ)晶體振蕩器研制項(xiàng)目是根據(jù)產(chǎn)品需求，我司比照國外某公司系列晶體振蕩器的性能指標(biāo)，開展實(shí)現(xiàn)插拔替換的國產(chǎn)化替代研制項(xiàng)目。該晶振采用全新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)并對電路進(jìn)行優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了溫補(bǔ)晶體振蕩器的小型化，產(chǎn)品的封裝和安裝面積與進(jìn)口產(chǎn)品一致，可以實(shí)現(xiàn)與進(jìn)口產(chǎn)品的插拔替換，而且高度相比進(jìn)口同類產(chǎn)品降低了兩毫米。該晶振的頻率溫度穩(wěn)定性和穩(wěn)態(tài)相位噪聲都達(dá)到了較高的水平，還具有抗輻照、抗靜電、產(chǎn)品可靠性高，抗振性好等特點(diǎn)，性能指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到或超過了同類進(jìn)口產(chǎn)品。

晶體振蕩器頻率控制方法

振蕩器可通過直接牽引頻率或使用高分辨率鎖相環(huán)調(diào)整頻率來實(shí)現(xiàn)頻率控制。直接牽引頻率的 VCXO用調(diào)整變?nèi)荻O管電壓來改變諧振電路電容，而直接牽引頻率的DCXO通過可編程開關(guān)切換不同的諧振電容。使用石英晶體諧振器的VCXO直接牽引頻 率調(diào)整可以保持低相位噪聲，但牽引范圍被限制在約±200ppm。當(dāng)系統(tǒng)應(yīng)用需要更寬的頻率牽引范圍和與晶體振蕩器相近的低噪聲特性時(shí)，用戶更傾向于選擇 基于鎖相環(huán)的MEMS控制振蕩器架構(gòu)，因?yàn)樗鼈兛梢蕴峁└哌_(dá)±1600ppm的牽引范圍。

什么叫晶振的微調(diào)效應(yīng)

微調(diào)效應(yīng)：由于頻率調(diào)整而產(chǎn)生的頻率溫度特性變化的效應(yīng)。微調(diào)效應(yīng)一般附在頻率溫度穩(wěn)定度后,以其他附加條件出現(xiàn)。

例如,壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器會(huì)這樣規(guī)定“頻率溫度穩(wěn)定度：≤±2.0ppm -55℃～ 85℃（在壓控電壓使用范圍的任何值時(shí),均保證頻率溫度穩(wěn)定度指標(biāo)）”,括號(hào)內(nèi)的附加條件就是微調(diào)效應(yīng)指標(biāo),這種附加微調(diào)效應(yīng)后的頻率溫度穩(wěn)定度較獨(dú)立的頻率溫度穩(wěn)定度難度增加許多。