離子束刻蝕速率

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刻蝕速率是指單位時間內離子從材料表面刻蝕去除的材料厚度，單位通常為A/minnm/min.刻蝕速率與諸多因素有關，包括離子能量、束流密度、離子入射方向、材料溫度及成分、氣體與材料化學反應狀態(tài)及速率、刻蝕生成物、物理與化學功能強度配比、材料種類、電子中和程度等。

影響離子束刻蝕的因素

影響刻蝕效果的因素很多，還有諸如離子刻蝕的二次效應、光刻膠掩模圖形的形狀和厚度、源靶距效應、離子刻蝕弓起的材料損傷及溫度效應等。

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離子束刻蝕機

離子束是指以近似一致的速度沿幾乎同一方向運動的一群離子。離子源用以獲得離子束的裝置。在各類離子源中，用得較多的是等離子體離子源，即用電場將離子從一團等離子體中引出來。這類離子源的主要參數由等離子體的密度、溫度和引出系統(tǒng)的質量決定。屬于這類離子源的有:潘寧放電型離子源射頻離子源、微波離子源、雙等離子體源、富立曼離子源等。另一類使用較多的離子源是電子碰撞型離子源，主要用于各種質譜儀器中。

離子束

1.蝕刻加工：離子蝕刻用于加工陀螺儀空氣軸承和動壓馬達上的溝槽，分辨率高，精度、重復一致性好。離子束蝕刻應用的另一個方面是蝕刻圖形，如集成電路、光電器件和光集成器件等征電子學構件。太陽能電池表面具有非反射紋理表面。離子束蝕刻還應用于減薄材料，制作穿透式電子顯微鏡試片。2.離子束鍍膜加工：離子束鍍膜加工有濺射沉積和離子鍍兩種形式。離子鍍可鍍材料范圍廣泛，不論金屬、非金屬表面上均可鍍制金屬或非金屬薄膜，各種合金、化合物、或某些合成材料、半導體材料、高熔點材料亦均可鍍覆。