真空鍍膜主要利用輝光放電(glowdischarge)將氣(Ar)離子撞擊靶材du(target)表面,靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢很多。新型的濺鍍?cè)O(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動(dòng)以加速靶材周圍的氣離子化,造成靶與氣離子間的撞擊機(jī)率增加,提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glowdischarge)將氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面，電漿中的陽離子會(huì)加速?zèng)_向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面，這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。

水晶振蕩監(jiān)控：利用石英晶體振動(dòng)頻率與其質(zhì)量成反比的原理工作的。但是石英監(jiān)控有一個(gè)不好之處就是當(dāng)膜厚增加到厚度后，振動(dòng)頻率不全然由于石英本身的特性使厚度與頻率之間有線性關(guān)系，此時(shí)須使用新的石英振蕩片。

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在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

　　真空鍍膜技術(shù)初現(xiàn)于20世紀(jì)30年，四五十年開始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用，工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)開始于20世紀(jì)80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中取得廣泛的應(yīng)用。