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發(fā)布時(shí)間:2021-01-14 11:21  






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VOCS調(diào)查提前程序中的常見問題和修改建議有哪些?重點(diǎn)企業(yè)"一廠一策"編制大綱一、企業(yè)概況應(yīng)包括企業(yè)概況(即企業(yè)名稱、地址、所屬行業(yè)、投產(chǎn)時(shí)間、主要產(chǎn)品、生產(chǎn)規(guī)模、聯(lián)系方式等)、廠址布置(即主要生產(chǎn)設(shè)施和輔助設(shè)施的布置,如生產(chǎn)車間、生產(chǎn)線、污水處理站、冷卻水系統(tǒng)等)、危險(xiǎn)化學(xué)品、原材料和成品的儲(chǔ)存和運(yùn)輸?shù)龋⒏接袕S址布局圖和廠址平面布置圖)。生產(chǎn)工藝(一)生產(chǎn)工藝流程主要介紹企業(yè)的生產(chǎn)工藝流程及VOCs排放的主要環(huán)節(jié),附企業(yè)生產(chǎn)工藝流程圖及VOCs排放節(jié)點(diǎn)。

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電子專用材料電子專用材料是半導(dǎo)體集成電路、各種電子部件(包括有源和無(wú)源部件、激光部件、光通信部件、LED部件、液晶顯示部件等電子基礎(chǔ)產(chǎn)品)制造中采用的特定材料。半導(dǎo)體設(shè)備①分立設(shè)備、集成電路常見的雙極管之一NPN三極管工藝的主要工藝是氧化、雕刻、n型外延、基區(qū)擴(kuò)散、發(fā)射區(qū)擴(kuò)散、Al金屬化、化學(xué)氣體沉積(CVD)鈍化層等。工藝流程與集成電路生產(chǎn)工藝類似。集成電路制造大致可分為晶片制造、氧化、混合、顯影、蝕刻、薄膜等獨(dú)立的單元。各單元可分為清洗、光阻涂布、曝光、顯影、離子移植、光阻去除、濺射、化學(xué)氣體沉積等不同的“操作步驟”。



提取類將生物體中發(fā)揮重要生理作用的各種基本物質(zhì)(氨基酸、多肽和蛋白質(zhì)、酶、核酸、糖、脂等)提取、分離、純化等手段制造。抽出類生產(chǎn)過程中的大氣污染物主要來自清洗、粉碎、干燥、包裝時(shí)產(chǎn)生的粉塵,抽出工程中常用的溶劑包括水、稀鹽、稀堿、稀酸、(例如乙醇、、、三、、草酸、等),抽出、沉淀、結(jié)晶過程中揮發(fā)生物工程類利用微生物、、動(dòng)物、生物組織等,采用現(xiàn)代生物技術(shù)方法(主要基因工程技術(shù)等)生產(chǎn)多肽和蛋白質(zhì)類、等藥品,包括基因工程、基因工程、工程制備等。




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