離子屬刻蝕機(jī)的注意事項(xiàng)

創(chuàng)世威納——專業(yè)離子束刻蝕機(jī)供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

#.在設(shè)備工作時(shí),禁止扶、靠設(shè)備，禁止觸摸高頻電纜和線圈，以免發(fā)生意外

#.高頻電源實(shí)際使用功率不能超過較大限制#.檢查設(shè)備時(shí)，必須關(guān)機(jī)后切斷電源

#. 工作場地必須保持清潔、干燥，設(shè)備上及設(shè)備周圍不得放置無關(guān)物品，特別是易1燃、易1爆物品

#.長期停放時(shí)注意防潮，拆除電源進(jìn)線，每隔3-5天開一次機(jī)，保證反應(yīng)室真空以免被污 染

#.設(shè)備停機(jī)、過夜也要保持反應(yīng)室真空，如停機(jī)較長時(shí)間后再進(jìn)行刻蝕工藝，需先進(jìn)行一次空載刻蝕，再刻蝕硅片

刻蝕技術(shù)

由于曝光束不同，刻蝕技術(shù)可以分為光刻蝕（簡稱光刻）、X射線刻蝕、電子束刻蝕和離子束刻蝕，其中離子束刻蝕具有分辨率高和感光速度快的優(yōu)點(diǎn)，是正在開發(fā)中的新型技術(shù)。

北京創(chuàng)世威納以誠信為首 ,服務(wù)至上為宗旨。公司生產(chǎn)、銷售離子束刻蝕機(jī),公司擁有強(qiáng)大的銷售團(tuán)隊(duì)和經(jīng)營理念。想要了解更多信息，趕快撥打圖片上的熱線電話！

反應(yīng)性離子刻蝕

以下是創(chuàng)世威納為您一起分享的內(nèi)容，創(chuàng)世威納專業(yè)生產(chǎn)反應(yīng)性離子刻蝕機(jī)，歡迎新老客戶蒞臨。

反應(yīng)性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導(dǎo)體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護(hù)膜時(shí)，利用反應(yīng)性氣體的離子束，切斷保護(hù)膜物質(zhì)的化學(xué)鍵，使之產(chǎn)生低分子物質(zhì)，揮發(fā)或游離出板面，這樣的方法稱為反應(yīng)性離子刻蝕。

離子束刻蝕機(jī)

離子束技術(shù)的應(yīng)用涉及物理、化學(xué)、生物、材料和信息等許多學(xué)科的交叉領(lǐng)域。離子束加工在許多精密、關(guān)鍵、高附加值的加工模具

等機(jī)械零件的生產(chǎn)中得到了廣泛應(yīng)用。一些國家用于軍事裝備的建設(shè)上，如改善蝸輪機(jī)主軸承、精密軸承、齒輪、冷凍機(jī)閥門和活塞的性能。離子注入半導(dǎo)體摻雜已成為超大規(guī)模集成電路微細(xì)加工的關(guān)鍵工藝，導(dǎo)致出現(xiàn)了80年代集成電路產(chǎn)業(yè)的騰飛。

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