變頻器功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進(jìn)展較慢，故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位。2、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物，是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)）的晶體管，它的三個(gè)極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G。工作特點(diǎn)是，控制部分與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相同，控制信號(hào)為電壓信號(hào)Uge，輸入阻抗很高，柵極電流I≈0，故驅(qū)動(dòng)功率很小。而起主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電極電流I。

變頻器磁環(huán)還可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況加繞在變頻器控制信號(hào)端或模擬信號(hào)給定端的進(jìn)線上。在電機(jī)實(shí)際應(yīng)用過程中，與變頻器的配合使用越來越普遍，那電機(jī)與變頻器之間到底是種什么關(guān)系呢？變頻器距離電動(dòng)機(jī)距離過遠(yuǎn)時(shí)（超過100m），電機(jī)與變頻器之間的電纜寄生電容過大，并與電機(jī)三相繞組寄生電容共同作用，在變頻器開關(guān)接通瞬間，由于速度很快，會(huì)產(chǎn)生過大的尖峰電流，使變頻器工況惡化，甚至燒毀開關(guān)。

雖然變頻器電力規(guī)模列世界第二位，但人均用電量卻為世界倒數(shù)位置。況且我國(guó)經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展需求更多的電力。若按國(guó)民經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)8%要求電力增長(zhǎng)11%計(jì)算，到2010年我國(guó)發(fā)電容量應(yīng)為5.7~6.0億kW，年發(fā)電量達(dá)28000~29000億kWH。2003年夏季持續(xù)高溫造成部分省市電力供應(yīng)緊張，采取拉閘限電措施。由于電力網(wǎng)負(fù)擔(dān)過重，造成局部電力系統(tǒng)不穩(wěn)定現(xiàn)象。