四氟化碳物理性質(zhì) :

   熔點(diǎn)-183.6℃，

   分子式是CF4,

　　沸點(diǎn)-128.1℃，

　　液體密度(-130℃)1.613g/cm3，

　　液體折光率(-173℃)1.515，

　　固體轉(zhuǎn)變點(diǎn)72.2K，

　　臨界溫度-45.67℃，

　　臨界壓力3.73MPa，

   蒸氣壓（-150.7℃）13.33kPa

  介電常數(shù)（25℃，0.5MPa）1.0006

　　臨界密度：7.1dm3/mol

　　標(biāo)準(zhǔn)摩爾自由能：-929.84 kJ/mol

　　標(biāo)準(zhǔn)摩爾生成自由能：-887.41 kJ/mol

   危險(xiǎn)性類別：第2.2類不燃?xì)怏w

反應(yīng)放熱后，氟開始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼猓狗磻?yīng)繼續(xù)進(jìn)行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。四氟化碳有時(shí)會(huì)用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。

隨著芯片制程向7納米邁進(jìn)，細(xì)微雜質(zhì)對(duì)芯片的損害更為明顯，電子產(chǎn)業(yè)對(duì)高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高，在此背景下，我國(guó)高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項(xiàng)：氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶?jī)?nèi)的氣體不能全部用盡，應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國(guó)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)仍在不斷擴(kuò)大，光伏發(fā)電累計(jì)裝機(jī)容量不斷上升，預(yù)計(jì)2020-2025年，我國(guó)高純四氟化碳市場(chǎng)需求將繼續(xù)以10.0%以上的增速增長(zhǎng)。