KOAN 壓控晶振對變?nèi)荻O管的容值要求

壓控晶振中用變?nèi)荻O管作為調(diào)頻元件，其性能和使用方法尤為重要，變?nèi)荻O管的中心電容值必須適合，其特性曲線平均斜率必須足夠大，以滿足壓控總頻偏要求，其特性曲線的線性要能滿足要求。

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KOAN 壓控振蕩器多樣化供應(yīng)滿足晶振需求

隨著電子產(chǎn)品高速發(fā)展需求，KOAN 壓控晶振 VCXO 相應(yīng)得到了全方面發(fā)展，低相噪低抖動，差分輸出，超高頻，超寬溫，多波形信號選擇壓控振蕩器，以及可編程燒錄，還有多規(guī)格小型化，低電壓等全方面滿足工業(yè)級市場。

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KOAN 壓控晶振系列編號封裝尺寸解讀（差分輸出）

? KV32D：KV-KOAN*VCXO，32-SMD3225（6p）（低抖動）D-LVDS輸出，2.5V/3.3V（10M-1.5G）

? KV50D：KV-KOAN*VCXO，50-SMD5032（6p）（低抖動）D-LVDS輸出，2.5V/3.3V（10M-1.5G）

? KV508D/C：KV-VCXO，50-SMD5032（8p）（超低抖動），D-LVDS2.5V/3.3V（15M-2.1G），C-HCSL 1.8V/2.5V/3.3V（15-700Mhz）

? KV70D：KV-KOAN*VCXO，70-SMD7050（6p）（低抖動）D-LVDS輸出，2.5V/3.3V（10M-1.5G）

? KV708D/C：KV-VCXO，70-SMD7050（8p）（超低抖動），D-LVDS2.5V/3.3V（15M-2.1G），C-HCSL1.8V/2.5V/3.3V（15-700Mhz）

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KOAN 壓控振蕩器的振蕩條件

相位條件：ωL=1/ωcl（ω 晶體頻率， L 晶體有效電感，CL 晶體負載電容），調(diào)整負載電容可以調(diào)整頻率高低，實現(xiàn)頻率精準(zhǔn)度高；振幅條件：│Rˉ│≥R（設(shè)計電路要考慮負性阻抗值 Rˉ的相對值，在起動時要比晶體諧振電阻有效值 R 大3-20 倍，正常振蕩時│Rˉ│=R）。

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