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廢舊電池的回收
振鑫焱光伏科技有限責任公司長期購置:天價回收硅片,電池片,初中級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽電池,太陽能組件,太陽能光伏板,顧客撤離,退級,庫存量,El,欠佳檢測,2手,舊,工程項目,拆裝,道路路燈,拆卸發(fā)電廠,拆裝,人造板,層壓板,無界限結(jié)晶硅,多晶硅,單晶硅,試驗板,負債還款,返修,太陽能發(fā)電控制模塊收購等。
美國是在廢舊電池自然環(huán)境管理工作法律數(shù)較多較細的1個國家,不但創(chuàng)建了健全的廢電池回收管理體系,并且創(chuàng)建了好幾家廢舊電池處理站,一起鍥而不舍向群眾開展主題教育,讓群眾主動地適用和相互配合廢舊電池的收購工作中。
對廢舊電池的綜合利用應當有嚴苛的程序流程:
(1)置放專用型的廢舊電池回收桶;
(2)按時專職人員上門服務搜集;
(3)充電電池歸類;
(4)倉庫歸類并安全性存儲;
( 5)集中化到必須總數(shù)后運到專業(yè)的處理站;
(6)解決運用稀缺金屬鎘。
電池片的檢驗
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:高價回收硅片,電池片,初級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,降級,庫存,El,不良測試,二手,舊,工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實驗板,債務償還,返工,光伏模塊回收等。
STF 印制:
A 級:
標識要有虛印、粗印現(xiàn)象(字母線寬度應小于 0.22mm )但仍可辨識時作為 A 級。若標識存在缺印但仍可辨識時,按字母高度的 1/3 判定,缺失長度小于字母高度 1/3 。
B 級:
標識要有虛印、粗印現(xiàn)象,字母線寬度應小于 0.22mm ,但仍可辨識時,如實心“ P ”,若標識存在缺印但仍可辨識時,按字母高度的
1/3 判定,缺失長度小于字母高度 1/3 。
C 級:
若字母變形或無法辨識時直接降為 C 級。
新的標準與舊的相同
缺陷片:
1. 主柵線或副柵線或背電極或背電場超出 c 級降級片的要求時,但仍有利用價值的片子。
2. 由于存儲不當造成成電極氧化時,直接以報廢片處理
3. 僅印刷烘干而沒有經(jīng)過燒結(jié)的電池片,如果還有利用價值,則租鋪位缺陷片處理
4. 完全未印制背電場的電池片作缺陷片處理。
5. 疊片仍有利用價值的作為缺陷片,如果全疊片則作為報廢片處理。
電池片的制作工藝
刻蝕工藝
刻蝕目的
將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈,避免 PN 結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低。
刻蝕原理
采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應, 采用高頻輝光放電反應,使反應氣體激活成活性粒子,如原子或各種游離基,這些活性粒子擴散到硅片邊緣,在那里與硅進行反應,形成揮發(fā)性生成物四氟化硅而被去除。
化學公式: CF 4 SIO 2 =SIF 4 CO 2
工藝流程
預抽,主抽,送氣,輝光,抽空,清洗,預抽,主抽 ,充氣。
影響因素
1. 射頻功率
射頻功率過高:等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷,導致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降。在結(jié)區(qū)(耗盡層)造成的損傷會使得結(jié)區(qū)復合增加。
射頻功率太低:會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻,從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足,導致并聯(lián)電阻下降。
2. 時間
刻蝕時間過長:刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大,時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結(jié)區(qū),從而導致?lián)p傷區(qū)域高復合。
刻蝕時間過短:刻蝕不充分,沒有把邊緣鱗去干凈, PN 結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。
4. 壓力
壓力越大,氣體含量越少,參與反應的氣體也越多,刻蝕也越充份。
太陽電池片標準
5 、 檢測方法
5.1 設計和結(jié)構(gòu)
5.1.1 基體材料
電池的基體材料應按相關詳細規(guī)范的要求及檢測方法進行檢測。
5.1.2 電極
5.1.2.1 電池電極的完整性、電極圖形位移的檢驗應使用分辨力優(yōu)于 0.01mm 的標準尺測量。
5.1.2.2 在照度不小于 800Lux 的白色光源下,目測電極是否變色。
5.1.2.3 電池電極的導電性按 GB/T17473.3 進行。
5.1.2.4 電池電極的可焊性按 GB/T17473.7 進行。
5.1.3 背面鋁膜
5.1.3.1 背面鋁膜與基體材料的匹配性檢測
通過檢測電池的彎曲變形,驗證背面鋁膜材料的熱膨脹系數(shù)與基體材料的匹配性。適用表面平整度優(yōu)于 0.01mm 平臺,電池背面朝下水平放置,用分辨力優(yōu)于 0.01mm 的量具進行檢驗。
5.1.3.2 背面鋁膜與基體材料的附著強度測驗
如圖 2 所示放置樣品,在滿足 EVA 充分交聯(lián)的條件下壓層,取出后立即撕下四氟布,待冷卻到室溫后,用刀割斷 EVA 和鋁膜,撕去 EVA 條,觀察有無鋁膜脫落。
5.1.3.3 背面鋁膜外觀檢驗
背面鋁膜的凸起高度應使用分辨力優(yōu)于 0.01mm 的帶標尺的光學顯微鏡測量,圖形缺陷采用目測。圖形位移采用分辨力優(yōu)于 0.02mm 的卡尺測量。
5.1.3.4 背面鋁膜的導電性檢測背面鋁膜的導電性按GB/T17473.3 進行。
5.1.4 減反射膜附著強度檢測
減反射膜附著強度的測試采用膠帶試驗測定粘合性的方法,膠帶附著強度不小于 44N/mm 。具體按 ASTM3359 進行,減反射膜不脫落。