在耐火預(yù)制件出產(chǎn)過程中常常會泛起因?yàn)樵现泄栉⒎鄣呐胃鼡Q，致使制品的成型機(jī)能發(fā)生波動(dòng)。對此題目處理的方法是，首先將使用的硅微粉進(jìn)行篩分，以均化其成分;其次，在混料的過程中，增加緩凝劑的加入量，適當(dāng)進(jìn)步加水量，同時(shí)適當(dāng)延長濕攪拌時(shí)間，然后成型;適當(dāng)降低制品的養(yǎng)護(hù)溫度，這樣基本上可以使題目得以解決。其中表現(xiàn)顯著的就是成型后的制品泛起上漲分層。

硅微粉粒徑分布不同

325目球磨生產(chǎn)和325目氣流磨生產(chǎn)，同樣是325目的產(chǎn)品：有的是用球磨，有的是用氣流磨；粒徑有的控制是D97，有的控制是D90；表示有的說是D97，有的說是D50；分布有的比較集中，有的比較分散；有的粉體產(chǎn)品粗顆粒，有的沒有粗顆粒。目前，市面上的硅微粉，形狀大致分為2種：球型和不規(guī)則形狀（類球型、方形）。這個(gè)跟礦和生產(chǎn)工藝有相關(guān)。重金屬，在指令方面控制比較嚴(yán)謹(jǐn)，需要嚴(yán)格控制，這指標(biāo)直接關(guān)系到產(chǎn)品的層次。

　　一般集成電路都是用光刻的方法將電路集中刻制在單晶硅片上，然后接好連接引線和管角，再用環(huán)氧塑封料封裝而成。塑封料的熱膨脹率與單晶硅的越接近，集成電路的工作熱穩(wěn)定性就越好。單晶硅的熔點(diǎn)為1415℃，膨脹系數(shù)為3.5PPM，熔融石英粉的為(0.3～0.5)PPM，環(huán)氧樹脂的為(30～50)PPM，當(dāng)熔融球形石英粉以高比例加入環(huán)氧樹脂中制成塑封料時(shí)，其熱膨脹系數(shù)可調(diào)到8PPM左右，加得越多就越接近單晶硅片的，也就越好。而結(jié)晶粉俗稱生粉的熱膨脹系數(shù)為60PPM，結(jié)晶石英的熔點(diǎn)為1996℃，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以中集成電路中不用球形粉時(shí)，也要用熔融的角形硅微粉。這也是球形粉想用結(jié)晶粉為近球形不能成功的原因所在。效果不行，走不通；10年前，包括現(xiàn)在我國還有人走這條路，從以上理論證明此種方法是不行的。即塑封料粉不能用結(jié)晶粉取代。