為試漏區(qū)配備足夠的通風(fēng)條件

檢漏氣體氦/ 氫如果泄露，就會(huì)像氣球一樣飛到試漏區(qū)的室頂，并逐漸漂滿整個(gè)試漏區(qū)?？v然所有連接件是完全密閉的，但在連接或拆卸的過(guò)程中難免會(huì)釋放少量的檢漏氣體。因此，為試漏區(qū)配備足夠的通風(fēng)條件是非常重要的。由于兩種檢漏氣體均有向上運(yùn)動(dòng)的趨向，建議從底部送入新鮮空氣和從頂部排放氣體至室外。切勿放空或溢出檢漏氣體至試漏區(qū)試漏中的可檢漏率與檢漏氣體的本底濃度關(guān)系甚大，盡管檢漏儀只檢測(cè)檢漏氣體的濃度變化,高的本底濃度還趨于出現(xiàn)高的波動(dòng)。

噴氦法氦質(zhì)譜檢漏方法

這是常用的一種方法,一般用于檢測(cè)體積相對(duì)較小的部件,將被檢器件和儀器連通,在抽好真空后,在被檢器件可能存在漏孔的地方(如密封接頭,焊縫等) 用噴槍噴氦,如圖4 所示,如果被檢器件某處有漏孔,當(dāng)氦噴到漏孔上時(shí),氦氣立即會(huì)被吸入到真空系統(tǒng),從而擴(kuò)散到質(zhì)譜室中,氦質(zhì)譜檢漏儀的輸出就會(huì)立即有響應(yīng),使用這種方法應(yīng)注意:氦氣是較輕的惰性氣體,在噴出后會(huì)自動(dòng)上升,為了準(zhǔn)確的在漏孔位置噴氦,噴氦時(shí)應(yīng)自上而下,由近至遠(yuǎn)(相對(duì)檢漏儀位置) ,這是因?yàn)樵趪娤路綍r(shí)氦氣有可能被上方漏孔吸入,就很難確定漏孔的位置;再者漏孔離質(zhì)譜室的距離檢漏儀反應(yīng)時(shí)間也不同,所以噴氦應(yīng)先從靠近檢漏儀的一側(cè)開始由近至遠(yuǎn)來(lái)進(jìn)行。利用氦氣是比氫氣小的第二輕的惰性氣體，氦氣在自然狀態(tài)下會(huì)向上垂直擴(kuò)散，在被檢測(cè)的管道中注入氦氣。

氦氣在在半導(dǎo)體中的檢漏作用

為了防止半導(dǎo)體器件、集成電路等元器件的表面因玷污水汽等雜質(zhì)而導(dǎo)致性能退化，就必須采用管殼來(lái)密封。但是在管殼的封接處或者引線接頭處往往會(huì)因?yàn)楦鞣N原因而產(chǎn)生一些肉眼難以發(fā)現(xiàn)的小洞，所以在元器件封裝之后，就需要采取某些方法來(lái)檢測(cè)這些小洞的存在與否。 氦氣檢漏就是采用氦氣來(lái)檢查電子元器件封裝管殼上的小漏洞。因?yàn)楹ぴ拥某叽绾苄?，容易穿過(guò)小洞而進(jìn)入到管殼內(nèi)部，所以這種檢測(cè)方法能夠檢測(cè)出尺寸很小的小洞（即能夠檢測(cè)出漏氣速率約為10?11～10?12cm3/sec的小洞），靈敏度可與性檢漏方法匹敵，但要比性檢漏方法簡(jiǎn)便。氦氣在在半導(dǎo)體中的檢漏作用為了防止半導(dǎo)體器件、集成電路等元器件的表面因玷污水汽等雜質(zhì)而導(dǎo)致性能退化，就必須采用管殼來(lái)密封。

氦氣檢漏試驗(yàn)的方法：首先把封裝好的元器件放入充滿氦氣的容器中，并加壓，讓氦氣通過(guò)小洞而進(jìn)入管殼中；然后取出，并用壓縮空氣吹去管殼表面的殘留氦氣；接著采用質(zhì)譜儀來(lái)檢測(cè)管殼外表所漏出的氦氣。