半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率是由載流子濃度決定的。如果入射光強(qiáng)度太高，導(dǎo)致器件內(nèi)電流太大，以至于電陰極和倍增極因發(fā)射二分解，就會(huì)造成光電倍增管的永1久性波壞。載流子就是由半導(dǎo)體原子 逸出來(lái)的電子及其留下的空位----- 空穴。電從原子中逃逸出來(lái),必須吉兇服原子的束縛而做功，而光照正是向電子提供能量,使它有能力逃逸出來(lái)的一種形式。因此，光照可以改變載流子的濃度,從而必變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。光電導(dǎo)器件主要有光敏電阻、光電二極管光電三極管等。1、光敏電阻這是一種半導(dǎo)體電阻。在沒(méi)有光照時(shí),電阻很大;在一定波長(zhǎng)范圍的光照下,電阻值明顯變小。

硅光電池就是一個(gè)大面積PN結(jié)。這些能量大部分以發(fā)光的形式出現(xiàn)，因此，可以直接將電能轉(zhuǎn)換成光能。光照可以使薄薄的P型區(qū)產(chǎn)生大量的光生載流子。這些光生電子和空穴，會(huì)向PN結(jié)方向擴(kuò)散。擴(kuò)散過(guò)程中，一部分電子和空穴復(fù)合消失,大部分?jǐn)U散到PN結(jié)邊緣。在結(jié)電場(chǎng)的作用下，大部分光生空穴被電場(chǎng)推回P型區(qū)而不能穿越PN結(jié)；大部分光生電阻卻受到結(jié)電場(chǎng)的加速作用穿越PN結(jié)，到達(dá)N型區(qū)。隨著光生電子在N型區(qū)的積累及光生空穴在P型號(hào)區(qū)的積累，會(huì)在在PN對(duì)的兩側(cè)產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定的電位差，這就是光生電動(dòng)勢(shì)。

應(yīng)用隨著傳統(tǒng)燃料能源的減少以及對(duì)環(huán)境造成的危害也越來(lái)越嚴(yán)重 ,能源問(wèn)題日益成為制約國(guó)際社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸，越來(lái)越多的國(guó)家制定了大力發(fā)展太陽(yáng)能的計(jì)劃。光電耦合器又是光電開(kāi)關(guān)，這種光電開(kāi)關(guān)不存在繼電器中機(jī)械點(diǎn)易疲勞的問(wèn)題，可靠性很高。例如，美國(guó)的“ 光伏建筑計(jì)劃”、歐洲的“百萬(wàn)屋頂光伏計(jì)劃” ，日本的“朝日計(jì)劃 ” ，以及我國(guó)發(fā)展的“光明工程 ”等都極大地促進(jìn)了太陽(yáng)能的發(fā)展。當(dāng)前太陽(yáng)能電池產(chǎn)品類(lèi)型主要有單晶硅、多晶硅、非晶硅、化合物半導(dǎo)體和疊層太陽(yáng)能電池等，主要應(yīng)用在以下領(lǐng)域。