物理氣相沉積技術(shù)基本原理可分三個(gè)工藝步驟：

(1)鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā)，異華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。

(2)鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞后，產(chǎn)生多種反應(yīng)。

(3)鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。

認(rèn)識(shí)PVD物理氣相沉積技術(shù)

物理氣相沉積技術(shù)工藝過程簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán)境改善，無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。該技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、光學(xué)、機(jī)械、建筑、輕工、冶金、材料等領(lǐng)域，可制備具有耐磨、耐腐飾、裝飾、導(dǎo)電、絕緣、光導(dǎo)、壓電、磁性、潤(rùn)滑、超導(dǎo)等特性的膜層。

化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn)

化學(xué)氣相沉積工藝是，將加熱的模具暴露在發(fā)生反應(yīng)的混合氣氛（真空度≤1Pa）中，使氣體與模具表面發(fā)生反應(yīng)，在模具表面上生成一層薄的固相沉積物，如金屬碳化物、氮化物、硼化物等。這里有兩個(gè)關(guān)鍵因素：

一是作為初始混合氣體氣相與基體固相界面的作用，也就是說，各種初始?xì)怏w之間在界面上的反應(yīng)來產(chǎn)生沉積，或是通過氣相的一個(gè)組分與基體表面之間的反應(yīng)來產(chǎn)生沉積。

二是沉積反應(yīng)必須在一定的能量條件下進(jìn)行。一般情況下，產(chǎn)生氣相沉積的化學(xué)反應(yīng)必須有足夠高的溫度作為條件，在有些情況下，可以采用等離子體或激光輔助作為條件，降低沉積反應(yīng)的溫度。

CVD法具有如下特點(diǎn)：可在大氣或低于大氣壓下進(jìn)行沉積金屬、合金、陶瓷和化合物涂層，能在形狀復(fù)雜的基體上或顆粒材料上沉積涂層。涂層的化學(xué)成分和結(jié)構(gòu)較易準(zhǔn)確控制，也可制備具有成分梯度的涂層。

涂層與基體的結(jié)合力高，設(shè)備簡(jiǎn)單操作方便，但它的處理溫度一般為900-1200℃，工件被加熱到如此高的溫度會(huì)產(chǎn)生以下問題：

（1）工件易變形，心部組織惡化，性能下降。

（2）有脫碳現(xiàn)象，晶粒長(zhǎng)大，殘留奧氏體增多。

（3）形成ε相和復(fù)合碳化物。

（4）處理后的母材必須進(jìn)行淬火和回火。

（5）不適用于低熔點(diǎn)的金屬材料。

PCVD工藝參數(shù)包括微觀參數(shù)和宏觀參數(shù)。微觀參數(shù)如電子能量、等離子體密度及分布函數(shù)、反應(yīng)氣體的離解度等。宏觀參數(shù)對(duì)于真空系統(tǒng)有，氣體種類、配比、流量、壓強(qiáng)、抽速等；對(duì)于基體來說有，沉積溫度、相對(duì)位置、導(dǎo)電狀態(tài)等；對(duì)于等離子體有，放電種類、頻率、電極結(jié)構(gòu)、輸進(jìn)功率、電流密度、離子溫度等。以上這些參數(shù)都是相互聯(lián)系、相互影響的。