回收碎電池片的方法

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無(wú)界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 

收購(gòu)碎電池片的方式  

電池片切開(kāi):將單晶硅棒切割成具備精準(zhǔn)幾何圖形規(guī)格的薄硅片。此全過(guò)程中造成的硅粉選用水淋,造成污水和硅渣。 

電池片淬火:雙工裝夾具熱氧化爐經(jīng)N2吹掃后,用紅外線加溫至300~500℃,硅片表層和co2產(chǎn)生反映,使硅片表層產(chǎn)生sio2保護(hù)層厚度。 

電池片倒角:將淬火的硅片開(kāi)展整修成圓弧狀,避免硅片邊沿裂開(kāi)及晶格常數(shù)缺點(diǎn)造成,提升磊晶層及光阻層的平整度。此全過(guò)程中造成的硅粉選用水淋,造成污水和硅渣。

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶(hù)撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

PECVD

PE 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學(xué)反應(yīng)可以簡(jiǎn)單寫(xiě)成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過(guò)程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過(guò)程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來(lái)需要在高溫下才能進(jìn)行的 CVD 過(guò)程得以在低溫下實(shí)現(xiàn)。  

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ < 450 ℃ ）。

2. 節(jié)省能源，降低成本。

3. 提高產(chǎn)能。

4. 減少了高溫導(dǎo)致的硅片中少子壽命衰減。

擴(kuò)散方式

PE 設(shè)備有兩類(lèi)：平板式和管式。

按反應(yīng)方式分為：直接式（島津）和間接式（ Roth ＆ Rau  ）。

直接式：基片位于一個(gè)電極上，直接接觸等離子體。  

間接式：基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管導(dǎo)入反應(yīng)腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) NH3 ，而 SiH4 直接進(jìn)入反應(yīng)腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多，這對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。

電池片區(qū)別

電池片差別 

太陽(yáng)電池開(kāi)始面世的是單晶硅太陽(yáng)電池。硅是宇宙上極豐富多彩的這種原素，基本上滿(mǎn)地常有硅的存有，百口莫辯取之不竭，用硅來(lái)生產(chǎn)制造太陽(yáng)電池，原材料可以說(shuō)不缺?？墒翘釤挸鏊鼌s不易，因此大家在生產(chǎn)制造單晶硅太陽(yáng)電池的一起，又科學(xué)研究了多晶硅太陽(yáng)電池和非晶硅太陽(yáng)電池，迄今商業(yè)服務(wù)經(jīng)營(yíng)規(guī)模生產(chǎn)制造的太陽(yáng)電池，都還沒(méi)跳出來(lái)硅的系列產(chǎn)品。我覺(jué)得能夠生產(chǎn)制造太陽(yáng)電池的半導(dǎo)體器件許多，隨之原材料工業(yè)生產(chǎn)的發(fā)展趨勢(shì)、太陽(yáng)電池的種類(lèi)將很多?，F(xiàn)階段已開(kāi)展科學(xué)研究和研發(fā)的太陽(yáng)電池，除硅系列產(chǎn)品外，也有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等很多種類(lèi)的太陽(yáng)電池，不勝枚舉，下列詳細(xì)介紹幾類(lèi)較普遍的太陽(yáng)電池。歸類(lèi)單晶硅太陽(yáng)電池。

電池片各工序影響因素及異常情況

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無(wú)界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 

電池片各工藝流程危害要素及異?，F(xiàn)象 

一回清理危害要素 

1.溫度 

溫度過(guò)高，先就是說(shuō)IPA不太好操縱，溫度一高，IPA的蒸發(fā)迅速，汽泡印就會(huì)隨著出現(xiàn)，那樣就大大減少了PN結(jié)的合理總面積，反映加重,還會(huì)出現(xiàn)影片的飄浮，導(dǎo)致殘片率的提升?？煽匦运剑赫{(diào)整設(shè)備的設(shè)定，能夠非常好的調(diào)整溫度。 

2.時(shí)間金字塔式隨時(shí)間的轉(zhuǎn)變：金字塔式慢慢冒出；表層上基礎(chǔ)被小金字塔式遮蓋，少數(shù)剛開(kāi)始成才；金字塔式滿(mǎn)布的絨面早已產(chǎn)生，僅僅尺寸不勻稱(chēng)，透射率也降至較為低的狀況；金字塔式向外擴(kuò)大企業(yè)兼并，容積慢慢澎漲，規(guī)格趨向平等，透射率略微降低?？煽匦运剑赫{(diào)整機(jī)器設(shè)備主要參數(shù)，能夠精準(zhǔn)的調(diào)整時(shí)間。 

3.IPA1.幫助氡氣的釋放出來(lái)。2.變?nèi)鮊aOH水溶液對(duì)硅片的浸蝕幅度，調(diào)整各向系數(shù)。純NaOH水溶液在高溫下對(duì)分子排序較為稀少的100晶面和較為高密度的111晶面毀壞較為大，每個(gè)晶面被浸蝕而消溶，IPA顯著變?nèi)鮊aOH的浸蝕抗壓強(qiáng)度，提升了浸蝕的各向異性，有益于金字塔式的成型。酒精含水量過(guò)高，堿水溶液對(duì)硅水溶液浸蝕工作能力越來(lái)越太弱，各向異性系數(shù)又趨向3?？煽匦运剑阂罁?jù)初次配液的含水量，及每一次大概耗費(fèi)的量，來(lái)填補(bǔ)足量的液體，線性度不高。