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鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對膜層沉積的影響：

本底漏率：本底漏率是指真空室在未加入氣體單位之前本身的單位漏率，漏率越大，進入爐內的雜氣就越多，不管真空度多高，這會嚴重影響鍍膜過程中爐內氣氛的純度和工件表面的潔凈度，會破壞膜層的結合力和膜層顏色的純度。

占空比：占空比是指脈沖偏壓的通斷時間比，占空比越大，同一個周期時間內偏壓輸出時間越長，增大占空比可以提高離子轟擊的能量，有利于提高膜基結合力和膜層致密性和膜層的硬度，但會提高工件的溫升；③熱量可直接加到蒸鍍材料的表面，因而熱效率高，熱傳導和熱輻射的損失少。減小占空比有利于抑制打火損傷和降低工件表面的溫度、輝光放電清洗和離子轟擊的效果。

真空度：真空度是指處于真空狀態(tài)下氣體的稀薄程度,用壓強表示,壓強越低,其稀薄程度越大,真空度越高。鍍膜過程中,真空度主要通過控制ya氣流量來改變。

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鍍膜技術也叫薄膜技術，是在真空條件下采用物理或化學方法，使物體表面獲得所需的膜體。PLD缺點：1、在鍍膜過程中，薄膜會被沉積在薄膜上的等離子本管中產(chǎn)生的微粒、氣態(tài)原子和分子降低質量，采取一定的措施后也不能完全消除。鍍膜技術是初起源于20世紀30年代，直到70年代后期才得到較大發(fā)展的一種技術。目前已被廣泛應用于耐酸、耐蝕、耐熱、表面硬化、裝飾、潤滑、光電通訊、電子集成、能源等領域.

電子束蒸發(fā)源的優(yōu)點為：①電子束轟擊熱源的束流密度高，能獲得遠比電阻加熱源更大的能量密度。在陰極弧斑的前方是高密度的金屬等離子體,由于電子向陽極快速移動而使陰極斑點前方出現(xiàn)離子堆積即形成正空間電荷,從而在陰極附近形成極強的電場,導致場電子發(fā)射以維持弧光放電?？梢允垢呷埸c（可高達3000°C以上）材料蒸發(fā)，并且能有較高的蒸發(fā)速度；②由于被蒸發(fā)材料是置于水冷堆鍋內，因而可避免容器材料的蒸發(fā)，以及容器材料與蒸鍍材料之間的反應，這對提高鍍膜的純度極為重要；③熱量可直接加到蒸鍍材料的表面，因而熱，熱傳導和熱輻射的損失少。